图片仅供参考,产品以实物为准
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.015 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 35 V |
| 半强度角 | 24 deg |
| 功率耗散 | 0.165 W |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -40C to 100C |
| 包装类型 | T-1 |
| 峰值波长 | 860 nm |
| 引脚数 | 2 |
| 极性 | NPN |
| 上升时间 | 7000/8000 ns |
| 暗电流（最大值） | 200 nA |
| 光电流 | 4500/7200 uA |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| 集电极 - 发射极电压星期六（最大值） | 0.2 V |
| 下降时间 | 7000/8000 ns |
| 弧度硬化 | No |
| 暗电流 | 200 nA |
| 集电极电流（DC ） | 0.015 A |
| 发射极 - 集电极电压（最大值） | 7 V |
| 删除 | Compliant |
| 绥强度 | 900mW/sr mcd |
| 封装 | Tape and Reel |
| 高亮度 | No |
| 形状类型 | Circular |
| 类型 | IrLED |
| 正向电压 | 3.8 V |
| 正向电流 | 100 mA |
| 反向电压 | 5 V |
| 可视角度 | 16 deg |
| 镜头规格 | 5.1x5.1x7.8 mm |
| 芯片材料 | GaAlAs |
| 主要类别 | IrLED |
| 产品厚度（毫米） | 5.9 mm |
| 产品高度（mm ） | 9 mm |
| 产品长度（mm ） | 5.9 mm |
| 发光强度 | 900mW/sr |
| 测试电流（It ） | 70 mA |
| 反向击穿电压 | 5 V |
| 输出设备 | Phototransistor |
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